Подробности о 10-нм техпроцессе Intel

Вчера состоялась большая презентация Intel, посвященная её технологическим процессам, в т.ч. 10-нанометровому, релиз которого ожидается в конце этого года. Это чрезвычайно занимательная тема — как с точки зрения будущих перспектив закона Мура (согласно которому количество транзисторов на квадратном дюйме кристалла удваивается каждые два года), так и с точки зрения обозначения. Как мы уже неоднократно говорили, понятия «14-нанометровый» или «10-нанометровый» в значительной мере условны, разнятся между производителями чипов и даже не соответствуют фактическим размерам компонентов транзистора, созданного на базе этого техпроцесса. Последний казус лучше всего иллюстрируют официальные слайды самой Intel, на основе которых я подготовил эту таблицу:

Читать далее

10-нанометровые процессоры Intel могут появиться во 2-ом квартале 2016 года

Ресурс mustapekka.fi опубликовал, как утверждается, дорожную карту процессоров Intel с микроархитектурой Skylake и Cannon Lake. Обе они будут представлены в линейках мобильных чипсетов M (47 Вт, т.е. для ноутбуков), U (15-25 Вт, т.е. для планшетов) и Y (до 6 Вт, т.е. для смартфонов). Как и Broadwell, процессоры Skylake будут иметь 14-нанометровую топологию, их появление ожидается в 4-ом квартале 2015 года. В свою очередь Cannon Lake станет первой микроархитектурой Intel с 10-нанометровым техпроцессом, причем согласно опубликованной нашими финскими коллегами иллюстрации, первые процессоры этой линейки появятся уже во 2-ом квартале следующего года.

Напомним, что в феврале переход на 10-нанометровый техпроцесс анонсировала компания Samsung, а в середине 2016 года к производству 10-нанометровых процессоров приступит компания TSMC. Как мы уже рассказывали, пределом технологического процесса (за которым квантовые эффекты делают невозможным дальнейшее наращивание количества транзисторов на кристалле интегральной схемы) принято считать уровень в 7-5 нанометров.

WCCFtech

В середине 2016 года TSMC начнет выпуск 10-нанометровых процессоров [обновлено]

Председатель правления тайваньской компании TSMC, Моррис Чанг (Morris Chang), объявил, что в середине 2016 года на Тайване начнет работать производство по выпуску интегральных схем на базе 10-нанометрового техпроцесса. Область их применения будет охватывать мобильные и серверные чипсеты, графические ускорители, процессоры для игровых и коммуникационных систем. Новость несколько омрачена поступившими ранее сообщениями о том, что свои следующие флагманские чипсеты для смартфонов, Snapdragon 820 и A9 (которые вероятно будут иметь 14- или 16-нанометровую топологию), компании Qualcomm и Apple заказали у компании Samsung. Напомним, что в феврале эта южнокорейская компания также анонсировала переход на 10-нанометровый техпроцесс.

Читать далее

Galaxy S7 может получить процессор с 10-нанометровой топологией

SD

До анонса очередного флагманского смартфона Samsung, Galaxy S6, остаются считанные дни, но пожалуй уже сейчас можно предположить, на каком техпроцессе будет чипсет у его преемника через год. На проходящей в эти дни конференции ISSCC глава полупроводникового подразделения компании, Ким Ки-нам (Kim Ki-nam), анонсировал переход Samsung на 10-нанометровую литографию. Самые производительные на сегодня чипсеты для смартфонов, Snapdragon 810 компании Qualcomm и A8 компании Apple, «напечатаны» на базе 20-нанометрового технроцесса, а Exynos 7420 (предполагаемый процессор Galaxy S6) — на базе 14-нанометрового.

Напомним, что по причине применения на полупроводниковых заводах Samsung технологии HKMG (в отличие от более энергоэффективной HPM, применяемой на заводах TSMC, которая производит процессоры для Qualcomm и Apple), 20-нанометровые процессоры Samsung с точки зрения энергопотребления соответствуют 28-нанометровым Qualcomm. В случае использования Samsung той же технологии в 14- и 10-нанометровом техпроцессе, он, вероятно, в этом отношении будет соответствовать 20- и 14-нанометровому техпроцессу TSMC. Но в любом случае, 10-нанометровая топология позволит Samsung нарастить производительность будущего процессора за счет размещения на кристалле интегральной схемы большего количества транзисторов.

G4Games