Intel сравнила свой 10-нанометровый техпроцесс с TSMC и Samsung

На прошедшей полгода назад презентации Intel раскрыла подробности о своем 10-нанометровом техпроцессе и показала сравнительные графики плотности размещения транзисторов в своем и «прочих» техпроцессах. На проходящем в эти дни в Пекине мероприятии компания представила более детальную информацию. Как видно из диаграммы сверху, в 22-нанометровом техпроцессе Intel заметно уступала 20-нанометровому техпроцессу TSMC и Samsung. В 14-нанометровом техпроцессе (используемом в её нынешних процессорах) она немного обошла 16-нм TSMC и 14-нм Samsung. А вот в её следующем, 10-нанометровом техпроцессе, плотность транзисторов обещает превзойти соперников в два раза — на один мм2 она составляет 48.1 млн. у TSMC, 51.6 млн. у Samsung и наконец 100.8 млн. у Intel.

Читать далее