ПК на базе Snapdragon 835 поступят в продажу в 4 кв 2017

В опубликованной вчера стенограмме телеконференции, посвященной финансовым результатам Qualcomm за 1-й квартал 2017 года (календарный), компания вскользь упомянула, что мобильные ПК под управлением Windows 10 и процессора Snapdragon 835 поступят в продажу в 4 кв 2017.

Читать далее

Предполагаемый Xiaomi Mi 6 со Snapdragon 835: результаты в GFXBench

На сайте популярного графического бенчмарка GFXBench появились результаты тестирования некоего Xiaomi Sagit, под которым предположительно скрывается будущий флагманский смартфон Xiaomi Mi 6. В спецификациях ему приписываются 5.1″ Full HD дисплей, 4/6 Гб оперативной памяти, 64/128 Гб флеш-памяти, 12-мпс основная (в более ранних утечках — 19-мпс) и 8-мпс фронтальная камеры, ОС Android 7.1.1, ну и конечно же Snapdragon 835 (ГПУ Adreno 540).

В таблице ниже производительность предполагаемого Xiaomi Mi 6 приводится вместе с данными по еще двум смартфонам c Full HD дисплеем:

Читать далее

Snapdragon 835: предварительный обзор производительности [обновлено]

Сегодня, за неделю до анонса второго (после Xperia XZ Premium) смартфона с процессором Snapdragon 835, Galaxy S8, наши коллеги из AnandTech поделились результатами тестирования референсного смартфона Qualcomm с этим чипсетом. В качестве такового использовалась модель с 5.5-дюймовым Quad HD дисплеем. Для сравнения референсный смартфон со Snapdragon 820 был крупнее (6.2-дюймовый дисплей) и имел большее энергопотребление (4.6 Вт vs 3.56 Вт).

Читать далее

Snapdragon 835: свежие результаты в Geekbench

Сегодня на сайте Geekbench были опубликованы очередные результаты тестирования предполагаемого процессора Snapdragon 835. Судя по названию устройства (Qualcomm MSM8998), речь идет о тестовом прототипе, а не будущей модели смартфона. Вместе с двумя ранее опубликованными нами данными производительность в одноядерном и многоядерном тестах выглядит так:

Читать далее

Новый Xiaomi Mi MIX может получить Snapdragon 835

Xiaomi MIX EVO

Вчера на сайте популярного бенчмарка Geekbench (он часто используется для определения производительности ЦПУ) появилась информация по некоему Xiaomi MIX EVO, оснащенному 8-ядерным процессором и 4 Гб ОЗУ. Наибольший интерес представляют результаты его производительности — она составляет 1918 и 5689 баллов в одноядерном и многоядерном тестах соответственно.

Читать далее

Snapdragon 835: утечки официальных характеристик

За несколько дней до раскрытия подробностей о Snapdragon 835 на CES 2017, в Интернет просочились предполагаемые слайды будущей презентации. Согласно им главный топовый процессор 2017 возвращается к 8-ядерному ЦПУ. В соответствии с традиционной архитектурой big.LITTLE, ЦПУ Kryo 280 получит два кластера по четыре ядра каждый: высокопроизводительный (с частотой до 2.45 ГГц и L2-кэшом объемом 2 Мб) и энергосберегающий (до 1.9 ГГц, 1 Мб). В таких задачах как загрузка приложений, веб-серфинг и виртуальная реальность быстродействие нового ЦПУ выросло на 20%.

Читать далее

Qualcomm Centriq 2400: первый 10-нанометровый процессор для дата-центров

Сегодня компания Qualcomm анонсировала первый в мире процессор с 10-нанометровой топологией, предназначенный для использования в серверах — Centriq 2400. Он оснащен 48 кастомными (разработанными непосредственно Qualcomm) ядрами с архитектурой ARMv8 и поступит в продажу во 2-й половине следующего года. Таким образом, это уже второй, после анонсированного в ноябре Snapdragon 835, процессор, созданный на базе 10-нанометрового техпроцесса (понятия, напомню, довольно условного).

Читать далее

Qualcomm анонсировала Snapdragon 835

snapdragon

Сегодня состоялся долгожданный анонс очередного топового мобильного процессора Qualcomm — Snapdragon 835. Процессор создан на базе 10-нанометрового техпроцесса FinFET и позиционируется в качестве приемника нынешнего 14-нанометрового Snapdragon 820/21. Snapdragon 835 уже выпускается на заводах Samsung, а его появление в массовых устройствах запланировано на первую половину 2017 года. К сожалению, пока из характеристик нового процессора сообщается лишь о поддержке технологии быстрой зарядки Quick Charge 4, которая на 20% быстрее и на 30% эффективнее Quick Charge 3.0. За пять минут она позволит зарядить смартфон на 5 часов, а за 15 минут — на 50%. Qualcomm также повторяет заявленные Samsung преимущества её 10-нанометрового техпроцесса — 27% прирост производительности или 40% снижение энергопотребления.

Читать далее