Техпроцесс (плотность размещения транзисторов)

(млн транзисторов на 1 мм2)

IntelTSMCSamsungIBM
22 нм16.50
16/14 нм44.6728.8833.32
10 нм100.7652.5151.82
7 нм237.1891.2095.08133.33
5 нм171.30200
3 нм292.21
2 нм333.33

курсивом — прогнозные и предполагаемые значения

Источник: AnandTech