Техпроцесс (плотность размещения транзисторов)

(млн транзисторов на 1 мм²)

	Intel	TSMC	Samsung	IBM
22 нм	16.50
16/14 нм	44.67	28.88	33.32
10 нм	100.76	52.51	51.82
7 нм	237.18	91.20	95.08	133.33
5 нм		171.30		200
3 нм		292.21
2 нм				333.33

курсивом — прогнозные и предполагаемые значения

Источник: AnandTech