Galaxy S9+ vs Galaxy S8+ vs iPhone X: сравнение устойчивой производительности

Galaxy S9+ vs iPhone X

На сайте популярного графического бенсмарка GFXBench накопилось достаточно результатов тестирования поступившего в прошлом месяце в продажу смартфона Galaxy S9 — включая производительность после длительной нагрузки, раскрывающую троттлинг и способность этого смартфона справляться с тяжелыми играми. По-своему эта способность теоретическая, поскольку поведение в игре зависит от степени её оптимизации под данный процессор. Но как таковое быстродействие смартфонов оценить можно — во всяком случае в масштабах данного теста. Я предлагаю воспользоваться Manhattan 3.1 — бенчмарком вполне современным и требовательным к графике, и вместе с тем располагающим данными по долговременной (после часа работы) производительности. Результаты в таблице ниже получены на нативном разрешении, и таким образом характеризуют быстродействие не процессоров, а самих смартфонов.

Для наглядности эти результаты сопровождаются данными наших коллег из AnandTech, которые по собственной методике тестировали т.н. устойчивую производительность. Напомню, что это уровень минимальной производительности после того, как тестируемая модель достигает температурного равновесия. В версии off-sceeen бенчмарка GFXBench Manhattan 3.1 эти данные приведены к общему знаменателю в виде Full HD разрешения, и таким образом характеризуют процессоры:

Модель Galaxy S9+ Galaxy S8+ iPhone X
 Процессор       Snapdragon 845           Exynos 9810           Snapdragon 835           Exynos 8895     A11 Bionic
 ЦПУ 4 x Kryo 385
4 x Kryo 385
4 x Exynos M3
4 x Cortex A55
4 x Kryo 280
4 x Kryo 280
4 x Exynos M2
4 x Cortex A53
2 x Monsoon
4 x Mistral
 ГПУ Adreno 630 Mali G72
MP18
(572 МГц)
Adreno 540
(670/710 МГц)
Mali G71
MP20
(546 МГц)
 Дисплей 6.2″ 1440×2560 5.8″ 1125×2436
 Цена $840
(64 Гб)
₽67 тыс
(64 Гб)
$690
(64 Гб)
₽58 тыс
(128 Гб)
₽80 тыс
(64 Гб)
Площадь процессора 94 мм2 118.94 мм2 72.3 мм2 103.64 мм2 89.23 мм2
Аккумулятор 3,500 мА·ч 2,716 мА·ч
GFXBench Manhattan 3.1 (off-screen) — AnandTech
Энергопотребление 5.01 Вт 4.08 Вт 3.79 Вт 7.35 Вт
Пиковая производительность 61.16 к/с 46.04 к/с 38.90 к/с 42.49 к/с 64.19 к/с
Пиковая производительность на 1 Вт 11.99 к/с 11.28 к/с 10.26 к/с 5.78 к/с
Устойчивая производительность 35.48 к/с 26.90 к/с 35.48 к/с 24.45 к/с 34.83 к/с
Устойчивость производительности 58% 58% 91% 58% 54%
GFXBench Manhattan 3.1 (on-screen) — сайт GFXBench
Начальная производительность 32.0 к/с 23.8 к/с 17.8 к/с 19.0 к/с 38.4 к/с
Производительность через час нагрузки 17.7 к/с 13.2 к/с 9.8 к/с 13.3 к/с 30.3 к/с
Устойчивость производительности 55% 55% 55% 70% 79%
Время автономной работы 2 ч 12 м 2 ч 57 м 3 ч 39 м 2 ч 47 2 ч 54 м

Как видим из таблицы, опубликованные на сайте GFXBench результаты существенно отличаются от тех, что были получены AnandTech. В первую очередь это касается Galaxy S9+ с процессором Snapdragon 845. У AnandTech его устойчивая производительность по сравнению с предшественником (Galaxy S8+ с процессором Snapdragon 835) совершенно не изменилась — в отличие от бесполезной пиковой производительности, которая увеличислась в полтора раза ценой почти на треть выросшего энергопотребления. А согласно сайту GFXBench устойчивая производительность взлетела в 1.8 раз ценой 40% снижения времени автономной работы (очевидно в связи с более высоким энергопотреблением даже после достижения смартфоном температурного равновесия).

Что касается прироста скорости Galaxy S9+ с процессором Exynos 9810, то данные AnandTech и сайта GFXBench совпадают — по сравнению с предшественником он отсутствует. При этом согласно AnandTech энергопотребление на пиковой нагрузке уменьшилось почти на половину, а согласно сайту GFXBench автономность (более важный показатель) осталась почти на прежнем уровне. А вот в задачах, где основная нагрузка ложится на ЦПУ, время автономной работы ухудшилось (во всяком случае по данным AnandTech) — как уже рассказывал Gadgets News, согласно этому источнику продолжительность веб-серфинга сократилась на три часа.

Таким образом, если прежде всего вас интересует графическая производительность, то приобретение российско-европейской версии Galaxy S9 не имеет смысла — Galaxy S8 в этом отношении не уступает ему, но при этом дешевле. По сравнению с ней американо-китайская версия в играх обещает быть производительнее — судя как по результатам бенчмарков, так и бо́льшему распространению Snapdragon 845 (и соответственно лучшей оптимизацией программного кода в играх). По сравнению с Galaxy S8, оснащенным процессором Snapdragon 835, результаты противоречивые — устойчивая производительность либо не выросла, либо выросла в 1.8 раз за счет 40% ухудшения автономности.

iPhone 8 Plus vs iPhone X

Уместно сравнить эти результаты со смартфонами Apple последнего и предпоследнего поколения:

Модель iPhone 7+ iPhone 8+ iPhone X
Процессор    A10 Fusion       A11 Bionic  
Дисплей 5.5″ 1080×1920 5.8″ 1125×2436
Аккумулятор 2,900 мА·ч 2,691 мА·ч 2,716 мА·ч
GFXBench Manhattan 3.1 (off-screen) — AnandTech
Пиковая производительность 43.30 к/с 61.69 к/с 64.19 к/с
Устойчивая производительность 26.07 к/с 36.45 к/с 34.83 к/с
Устойчивость производительности 60% 59% 54%
GFXBench Manhattan 3.1 (on-screen) — сайт GFXBench
Начальная производительность 33.0 к/с 46.4 к/с 38.4 к/с
Производительность через час нагрузки 28.5 к/с 40.1 к/с 30.3 к/с
Устойчивость производительности 86% 86% 79%
Время автономной работы 2 ч 18 м 2 ч 32 м 2 ч 53 м

Как видно из этой таблицы, с точки зрения данного бенчмарка новое поколение iPhone получило безусловно более быстрый процессор — по данным обоих источников устойчивая производительность выросла на 40%, причем согласно сайту GFXBench рост быстродействия сопровождается небольшим улучшением автономности — и это при том, что емкость встроенной батареи уменьшилась с 2,900 мА·ч до 2,691 мА·ч. И хотя по данным AnandTech в бенчмарке GFXBench производительность Snapdragon 845 и A11 Bionic одинаковая, благодаря более низкому разрешению дисплея устойчивая производительность новейших смартфонов Apple значительно выше, чем у флагманов Samsung даже с процессором Snapdragon 845 (18 к/с) — у iPhone X, iPhone 8 Plus и iPhone 8 она составляет соответственно 30 к/с, 40 к/с и 65 к/с.

В заключение надо отметить два обстоятельства. Во-первых, приведенные выше данные относятся только к одному из графических бенчмарков — в остальных результаты могут быть совсем другими. Как уже рассказывал Gadgets News, в 3DMark Sling Shot 3.1 устойчивая производительность Snapdragon-версии Galaxy S9 на 61-82% выше Exynos-версии этого смартфона (в GFXBench — на 32%) и на 22-37% выше, чем у iPhone X (в GFXBench — одинаковая).

Во-вторых, флагманские смартфоны Samsung отличаются заметно более сильным троттлингом, чем другие модели с тем же процессором. Если производительность Galaxy S8+ со Snapdragon 835 через час нагрузки составила 9.8 к/с, то у HTC U11+ уже 13.5 к/с. Это почти такая же разница (38%), как между iPhone 8 Plus и iPhone 7 Plus (40%). Причем нельзя сказать, что HTC U11+ потребляет больше электроэнергии — его емкость аккумулятора составляет 3,930 мА·ч против 3,500 мА·ч у Galaxy S8+ (на 12% больше), а время автономной работы в этом бенчмарке — 4 ч 33 м против 3 ч 39 м у Galaxy S8+ (на 25% больше). Поэтому не исключено, что у других смартфонов с процессором Snapdragon 845 и разрешением экрана 1440×2560 производительность в GFXBench Manhattan 3.1 (on-screen) составит 24 к/с против 18 к/с у Galaxy S9+.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *