10нм от Intel vs 7нм от Samsung, TSMC и GlobalFoundries: сравнение техпроцесса

В рамках завершившегося сегодня симпозиума VLSI Symposia, посвященного СБИС (сверхбольшим интегральным схемам), компания Samsung поделилась кое-какими подробностями о своем 7-нм техпроцессе. От TSMC и Intel его отличает применение фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV), разработкой которой полупроводниковые компании занимаются уже три десятка лет. Её отличительной особенностью является использование лазерного луча с очень короткой длиной волны, 13.5 нм. Для сравнения длина волны в нынешнем фторид-аргоновом лазере составляет 193 нм. Увеличение разрешения в нем достигается при помощи иммерсионной литографии, но она уже практически достигла своего предела. В последний раз  Samsung задействует эту технологию в 8-нм техпроцессе, на смену которому в 2019 году придет 7-нм EUV. GlobalFoundries также приписывают использование EUV в 7-нм техпроцессе.

Но главный интерес вызывают конечно же конкретные характеристики нового техпроцесса. В таблице снизу они даются вместе с данными по конкурентам (изменения приведены по сравнению с предшествующим техпроцесом):

Читать далее