Co-EMIB, ODI и MDIO: новые технологии Intel для многокристальных процессоров
Сегодня в рамках международной выставки SEMICON West компания Intel представила ряд новых технологий для объединения нескольких кристаллов в один процессор. Во-первых, это Co-EMIB — своего рода комбинация уже существующих технологий горизонтального (EMIB) и вертикального (Foveros) соединения кристаллов в рамках единого процессора. Благодаря Co-EMIB можно объединить между собой два или более элементов Foveros. Одним из достоинством технологии горизонтального соединения EMIB является то, что ей не требуется отдельный кристалл, в качестве интерфейса между объединяемыми кристаллами — в отличие от Infinity Fabric от AMD. При этом соединять между собой при помощи EMIB можно чипы не только разного назначения (ЦПУ, ГПУ, FPGA, HBM2 и др.), но и с разным техпроцессом.
Второй герой сегодняшнего анонса Intel — ODI (Omni-Directional Interconnect). Это новый тип соединения, служащий альтернатиой MCP, EMIB и Foveros. Он может соединять кристаллы как по горизонтали, так и по вертикали. При этом у его сквозных кремниевых переходов (TSV, through-silicon via) больше пропускная способность и меньше задержки.
Ну и наконец третья новая технология — интерфейс MDIO (Multi-Die I/O). По сравнению с нынешним поколением шины AIB (Advanced Interconnect Bus), его пропускная способность выросла с 2 до 5.4 Гбит/с на пин, а плотность полосы пропускания — с 63 до 200 Гб/с на продольный 1 мм и со 150 до 198 на 1 мм2. При этом перепады напряжения уменьшились с 0.9 до 0.5 вольт, а энергоэффективность улучшена c 0.85 до 0.50 пДж/бит.
Как уже рассказывал Gadgets News, по мере замедления (или даже, как утверждают некоторые специалисты, прекращения) закона Мура, объединение кристаллов в одном процессоре становится одним из главных трендов в полупроводниковой индустрии. Может показаться, что по мере уменьшения техпроцесса достаточно ограничиться печатью процессоров на кристаллах прежнего размера, на которых вмещается всё большее число транзисторов. Однако при этом возникают две проблемы. Во-первых, с увеличением количества транзисторов при заданной площади кристалла увеличивается и выпуск бракованных экземпляров. Поэтому производители одновременно с уменьшением техпроцесса стремятся к уменьшению размеров кристалла. Во-вторых, закон Мура начинает упираться в физические пределы, поэтому другого способа радикально повысить производительностm процессора, кроме как увеличить количество его вычислительных блоков (в т.ч. с разной специализацией), на данный момент почти не существует.
Помимо вышеупомянутых Intel и AMD, над подобными технологиями работают, в частности, TSMC (LIPINCON, см. иллюстрацию сверху) и Nvidia.