Samsung представила тестовый образец 8 Гбит LPDDR5 на базе 10-нм техпроцесса
Сегодня Samsung объявила об успешной разработке первого в мире 8 Гб чипа оперативной памяти стандарта LPDDR5 на базе 10-нанометрового техпроцесса (которым компания условно обозначает техпроцесс от 10 нм до 20 нм). По сравнению с нынешним самым современным стандартом мобильной оперативной памяти, LPDDR4X, скорость обмена данными на один пин выросла в полтора раза, с 4,266 Мбит/с до 6,400 Мбит/с (для версии 1.1 вольт), или 5,500 Мбит/с (1.05 вольт). Это дает общую скорость 51.2 Гб/с и 44 Гб/с соответственно. В еще более раннем стандарте, LPDDR3, скорость на пин составляла 2.13 Гбит/с (1.2 вольт). Благодаря режиму «глубокого сна», потребление электричества в состоянии ожидании снижается почти в два раза, что в среднем дает 30% уменьшение энергопотребления.
Samsung увязывает начало производства новой памяти со спросом своих ключевых заказчиков и одновременно позиционирует её для грядущего стандарта сотовой связи 5G и приложений искусственного интеллекта. Это дает основание предположить, что первые смартфоны с LPDDR5 от Samsung появятся в смартфонах в 2019 году.