Samsung начала массовый выпуск eUFS 3.1 512 Гб
Сегодня Samsung объявила о начале массового производства памяти стандарта eUFS 3.1 объемом 512 Гб. Вот как изменились характеристики выпускаемой компанией флеш-памяти за последние годы:
| Память | Скорость последовательного чтения | Скорость последовательной записи | Скорость случайного чтения | Скорость случайной записи |
| 512 Гб eUFS 3.1 (март 2020) | 2100 Мб/с | 1200 Мб/с | 100,000 IOPS | 70,000 IOPS |
| 512 Гб eUFS 3.0 (февраль 2019) | 2100 Мб/с | 410 Мб/с | 63,000 IOPS | 68,000 IOPS |
| 1 Тб eUFS 2.1 (январь 2019) | 1000 Мб/с | 260 Мб/с | 58,000 IOPS | 50,000 IOPS |
| 512 Гб eUFS 2.1 (ноябрь 2017) | 860 Мб/с | 255 Мб/с | 42,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| eUFS 2.1 (сентябрь 2017) | 850 Мб/с | 150 Мб/с | 45,000 IOPS | 32,000 IOPS |
| 256 Гб UFS (июль 2016) | 530 Мб/с | 170 Мб/с | 40,000 IOPS | 35,000 IOPS |
| 256 Гб eUFS 2.0 (февраль 2016) | 850 Мб/с | 260 Мб/с | 45,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| 128 Гб eUFS 2.0 (январь 2015) | 350 Мб/с | 150 Мб/с | 19,000 IOPS | 14,000 IOPS |
| eMMC 5.1 | 250 Мб/с | 125 Мб/с | 11,000 IOPS | 13,000 IOPS |
| eMMC 5.0 | 250 Мб/с | 90 Мб/с | 7,000 IOPS | 13,000 IOPS |
| eMMC 4.5 (сентябрь 2012) | 140 Мб/с | 50 Мб/с | 7,000 IOPS | 2,000 IOPS |
Таким образом, за год скорость последовательной записи выросла почти в 3 раза, а случайного чтения — в 1.6 раз. Скорости последовательного чтения и случайной записи практически не изменились.
Прогресс за последние пять лет (eUFS 3.1 vs eUFS 2.0) выглядит весьма внушительно:
- объем вырос в 4 раза
- скорость последовательного чтения — в 6 раз
- скорость последовательной записи — в 8 раз
- скорости случайного чтения и случайной записи — в 5 раз.
Память стандарта eUFS 3.1 также будет выпускаться в версиях 256 Гб и 128 Гб.