Samsung представила первый модуль мобильной ОЗУ LPDDR4 объемом 8 Гб
Сегодня, спустя год после начала массового производства 12-гигабитных модулей оперативной памяти LPDDR4, компания Samsung представила первые в мобильной индустрии 16-гигабитные чипы того же стандарта. В комбинации из четырех таких чипов объем максимальной оперативной памяти на мобильном чипсете смартфона или планшета возрастает с нынешних 6 Гб до 8 Гб. Скорость 16-битных чипов по сравнению с 12-гигабитными не изменилась и по-прежнему составляет 4266 Мбит/с (34 Гб/с на 64-разрядной шине). Вместе с тем они созданы на базе 10-нм техпроцесса — у 12-гигабитных был 20-нанометровый. Как обычно, масштаб техпроцесса в названии является условным и обозначает нижнюю границу: «10-нанометровый» соответствует фактическому диапазону от 10 до 20 нм, а «20-нанометровый» — от 20 до 30 нм.
Как бы то ни было, благодаря уменьшению техпроцесса 8 Гб модуль LPDDR4 потребляет столько же электроэнергии, сколько 4 Гб модуль с 20-нанометровой литографией. При этом его размер не превышает 15 x 15 x 1 мм.
Первые смартфоны с 8 Гб оперативной памяти ожидаются в следующем году.