Samsung приступила к массовому выпуску 2-го поколения 10-нанометровой DDR4
Сегодня Samsung объявила о начале массового производства 1 Гб модулей оперативной памяти DDR4, созданных на базе второго поколения 10-нанометрового техпроцесса. Напомню, что термин этот довольно условный — в случае с Samsung подразумевает диапазон между 10 и 19 нанометрами. По сравнению с первым поколением, массовое производство которого стартовало в апреле 2016, производительность и энергоэффективность увеличилась на 10% и 15% соответственно, скорость на пин выросла с 3,200 Мбит/с до 3,600 Мбит/с.
Samsung сообщает, что старт массового выпуска 2-го поколения 10-нанометровой DDR4 позволяет её ускорить подготовку к серийному выпуску таких стандартов оперативной памяти как DDR5, LPDDR5, GDDR6 и HBM3 предназначенных для высокопроизводительных систем, серверов, суперкомпьютеров, мобильных устройств и топовых видеокарт.