10нм от Intel vs 7нм от Samsung, TSMC и GlobalFoundries: сравнение техпроцесса

В рамках завершившегося сегодня симпозиума VLSI Symposia, посвященного СБИС (сверхбольшим интегральным схемам), компания Samsung поделилась кое-какими подробностями о своем 7-нм техпроцессе. От TSMC и Intel его отличает применение фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV), разработкой которой полупроводниковые компании занимаются уже три десятка лет. Её отличительной особенностью является использование лазерного луча с очень короткой длиной волны, 13.5 нм. Для сравнения длина волны в нынешнем фторид-аргоновом лазере составляет 193 нм. Увеличение разрешения в нем достигается при помощи иммерсионной литографии, но она уже практически достигла своего предела. В последний раз  Samsung задействует эту технологию в 8-нм техпроцессе, на смену которому в 2019 году придет 7-нм EUV. GlobalFoundries также приписывают использование EUV в 7-нм техпроцессе.

Но главный интерес вызывают конечно же конкретные характеристики нового техпроцесса. В таблице снизу они даются вместе с данными по конкурентам (изменения приведены по сравнению с предшествующим техпроцесом):

Читать далее

Snapdragon 850: версия Snapdragon 845 для Windows-ноутбуков

Snapdragon 850

Сегодня Qualcomm анонсировала процессор Snapdragon 850, но вопреки новому названию в нём по сути нет ничего нового — это уже знакомый нам Snapdragon 845, с которым в этом году вышли уже десятки моделей топовых смартфонов. Отличие состоит лишь в слегка разогнанной максимально возможной тактовой частоте ЦПУ — с 2.8 ГГц до 2.96 ГГц. Кстати то же самое можно сказать про установленный в Asus ROG Phone процессор Snapdragon 845, так что фактически в анонсированном вчера смартфоне для геймеров установлен Snapdragon 850.

Читать далее

ARM представила Cortex-A76, Mali-G76 и Mali-V76

ARM SoC

Компания ARM анонсировала три новых ядра для процессоров одноименной архитектуры. Напомню, что она используется во всех смартфонах и планшетах на iOS и Android, а ядра ARM — только в некоторых из процессоров, разрабатываемых MediaTek, Huawei (HiSilicon), в меньшей степени Samsung (Exynos), и в еще меньшей степени Qualcomm (Snapdragon). Новинки представлены ядром ЦПУ Cortex-A76, ядром ГПУ Mali-G76 и ядром видеопроцессора Mali-V76. Их предшественники, Cortex-A75 и Mali-G72, а также Mali-V52, были представлены соответственно в конце мая 2017 (т.е. год назад) и в марте этого года. По сравнению с ними новинки отличаются следующими улучшениями:

Читать далее

Snapdragon 710 vs Snapdragon 660: что изменилось?

Snapdragon 710

В феврале этого года Qualcomm анонсировала новую, 700-ю серию мобильных процессоров Snapdragon, которая займет промежуточное положение между 600-й (для смартфонов среднего уровня) и 800-й (для топовых смартфонов). И вот сегодня компания представила первый процессор новой серии, Snapdragon 710. Gadgets News предлагает вашему вниманию его сравнительные характеристики вместе с процессором Snapdragon 660, относительно которого Qualcomm сравнивает производительность нового чипа:

Читать далее

Bloomberg: TSMC приступила к массовому выпуску 7-нм A12

Apple A12

Согласно авторитетному информагентству Bloomberg, на фабриках TSMC стартовало массовое производство процессоров Apple A12. Сообщается, что он будет создан на базе 7-нанометрового техпроцесса. Месяц назад о начале массового выпуска 7-нанометровых процессоров объявила сама TSMC, но не уточнила для каких заказчиков они предназначены. Ожидается, что процессором A12 будут оснащены новые модели iPhone, которые Apple анонсирует через три с небольшим месяца.

И сегодня же своими планами поделилась Samsung. В пресс-релизе компании говорится, что массовый выпуск 7-нанометровых чипов (на базе фотолитографии в глубоком ультрафиолете) будет освоен во 2-й половине 2018. Сами процессоры пока в разработке, которую планируется завершить к 1-у полугодию 2019 (вероятно речь идет о мобильном процессоре серии Exynos, которым будет оснащен Galaxy S10). Вслед за 7-нм техпроцессом 7LPP (Low Power Early) по планам Samsung последуют 5-нм 5LPE, 4-нм 4LPE и 4LPP (Low Power Plus), 3-нм 3GAAE (Gate-All-Around Early) и 3GAAP (Gate-All-Around Plus). Если по аналогии с Exynos 8895 (10LPE) и Exynos 9810 (10LPP) исходить из того, что на каждый этап уходит один год, то в лучшем случае дорожная карта техпроцесса Samsung будет выглядеть так:

Читать далее

TSMC приступила к массовому выпуску 7-нм процессоров

На прошлой неделе один из четырех основных (наряду с Intel, GlobalFoundries и Samsung) производителей процессоров, TSMC, объявил о начале массового производства процессоров по 7-нанометровому техпроцессу FinFET. Его первое поколение получило название CLN7FF и задействует технологию глубокого ультрафиолета. В отличие от 10-нанометрового, 7-нанометровый техпроцесс в этом году охватит не только мобильные чипы для смартфонов и планшетов (SoC), но также процессоры для серверов, графические ускорители, FPGA, нейропроцессоры, процессоры для майнинга криптовалют и т.д. До конца года будет выпущено более 50 продуктов для 18 заказчиков.

Читать далее

Samsung анонсировала Exynos 7 9610

Exynos 7 9610

Сегодня Samsung представила процессор начального уровня. По сравнению с топовым Exynos 9 9810 (используемым в российской версии Galaxy S9), новый Exynos 7 9610 получил ЦПУ с устаревшей конфигурацией и более низкой тактовой частотой, а также номинально в шесть раз менее производительное ГПУ. Gadgets News предлагает вашему вниманию сравнительные характеристики обоих процессоров:

Читать далее

ARM анонсировала Mali-G52 и Mali-G31

Mali-G52

Сегодня состоялся анонс ARM Mali G52 — ГПУ для мобильных процессоров, чьим главным достоинством является не столько производительность, сколько умеренное энергопотребление и маленькие размеры. По сравнению с выпущенным почти полтора года назад Mali-G51, у Mali-G52 на 30% выросла производительность/мм2 и на 15% — энергоэффективность (производительность/Вт). В задачах машинного обучения новое ГПУ превосходит своего предшественника в 3.6 раз (во всех случаях сравнение делается исходя из одинакового техпроцесса).

В свою очередь Mali-G31 представляет собой урезанную модификацию Mali-G52 и позиционируется в качестве ГПУ «ультра-начального» уровня, а также замены Mali-400, вышедшего почти 10 лет назад. По сравнению с 2-ядерным (MP 2) Mali G52 его размеры на 20% меньше, при этом производительность/мм2 выше на 20%.

Одновременно ARM анонсировала новые процессоры начального уровня для дисплея и обработки видео, Mali-V52 и Mali-D51.

ARM

Qualcomm WCN3998: поддержка Wi-Fi 802.11ax на смартфонах

Неделю назад Qualcomm анонсировала сетевой SoC (однокристальную систему) IPQ8074 и клиентский чипсет QCA6290, чьей главной особенностью стала поддержка Wi-Fi новейшего поколения, 802.11ax. И вот сегодня компания представила встроенное решение для смартфонов с аналогичной возможностью, WCN3998. Благодаря ему пропускная способность Wi-Fi по сравнению с 802.11ac Wave-2 вырастет вдвое (в отношении IPQ8074 назывались до 4.8 Гбит/с), а энергопотребление уменьшится на 67%. Помимо этого технология поддерживает «аудиофильское» звучание 8×8 (вместо нынешнего 4×4), протокол шифрования WPA3, а также Bluetooth 5.1, который в паре с чипами серии QCC5100 увеличит время автономной работы смартфона на 75%. Клиенты Qualcomm получат WCN3998 во 2-м квартале этого года.

А на днях Qualcomm, как уже рассказывал Gadgets News, представила модем Snapdragon X24 с поддержкой стандарта сотовой связи LTE Cat 20, номинальная скорость которого достигает 2 Гбит/с.

Qualcomm

Snapdragon X24 с поддержкой LTE Cat 20: до 2 Гбит/с

Snapdragon X24

Сегодня, спустя год после анонса модема Snapdragon X20, Qualcomm представила его преемника, Snapdragon X24 с поддержкой стандарта сотовой связи LTE Cat 20. От предшественника, поддерживающего LTE Cat 18, он отличается увеличением:

Читать далее