Samsung начал массовое производство памяти 512 Гб eUFS 3.0

Samsung-eUFS-3-512GB

Сегодня Samsung объявила о начале массового производства чипов памяти стандарта eUFS 3.0 емкостью 512 Гб. Сам стандарт был анонсирован чуть больше года назад, а на днях Samsung представила свой первый смартфон с гибким дисплеем Galaxy Fold, в спецификациях которого упоминается флеш-память 512 Гб UFS 3.0. И вот теперь компания официально заявляет о запуске этой памяти в серию и раскрывает её скоростные параметры. Ниже приводится таблица с характеристиками разных типов флеш-накопителей — включая 1 Тб eUFS 2.1, о запуске которого в серию Samsung объявила месяц назад:

Память Скорость последовательного чтения Скорость последовательной записи Скорость случайного чтения Скорость случайной записи
512 Гб UFS 3.0
(февраль 2019)
2100 Мб/с 410 Мб/с 63,000 IOPS 68,000 IOPS
1 Тб eUFS 2.1
(январь 2019)
1000 Мб/с 260 Мб/с 58,000 IOPS 50,000 IOPS
512 Гб eUFS 2.1 (ноябрь 2017) 860 Мб/с 255 Мб/с 42,000 IOPS 40,000 IOPS
eUFS 2.1 (сентябрь 2017) 850 Мб/с 150 Мб/с 45,000 IOPS 32,000 IOPS
256 Гб UFS (июль 2016) 530 Мб/с 170 Мб/с 40,000 IOPS 35,000 IOPS
256 Гб eUFS 2.0 (февраль 2016) 850 Мб/с 260 Мб/с 45,000 IOPS 40,000 IOPS
128 Гб eUFS 2.0 (январь 2015) 350 Мб/с 150 Мб/с 19,000 IOPS 14,000 IOPS
eMMC 5.1 250 Мб/с 125 Мб/с 11,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 5.0 250 Мб/с 90 Мб/с 7,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 4.5 (сентябрь 2012) 140 Мб/с 50 Мб/с 7,000 IOPS 2,000 IOPS

IOPS — операций ввода/вывода в секунду

Как видно из таблицы, даже по сравнению с новейшим накопителем 1 Тб eUFS 2.1 прирост скорости у 512 Гб UFS 3.0 довольно значительный:

  • последовательное чтение — в 2.1 раз
  • последовательная запись — в 1.58 раз
  • случайное чтение — в 1.09 раз
  • случайная запись — в 1.38 раз.

Одновременно с 512 Гб флешками нового стандарта, Samsung в этом месяце начинает также массовое производство 128 Гб накопителей. Серийный выпуск 256 Гб и 1 Тб eUFS 3.0 запланирован во второй половине года.

Samsung

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *