Samsung начала массовый выпуск eUFS 3.1 512 Гб

Сегодня Samsung объявила о начале массового производства памяти стандарта eUFS 3.1 объемом 512 Гб. Вот как изменились характеристики выпускаемой компанией флеш-памяти за последние годы:

ПамятьСкорость последовательного чтенияСкорость последовательной записиСкорость случайного чтенияСкорость случайной записи
512 Гб eUFS 3.1
(март 2020)
2100 Мб/с1200 Мб/с100,000 IOPS70,000 IOPS
512 Гб eUFS 3.0
(февраль 2019)
2100 Мб/с410 Мб/с63,000 IOPS68,000 IOPS
1 Тб eUFS 2.1
(январь 2019)
1000 Мб/с260 Мб/с58,000 IOPS50,000 IOPS
512 Гб eUFS 2.1 (ноябрь 2017)860 Мб/с255 Мб/с42,000 IOPS40,000 IOPS
eUFS 2.1 (сентябрь 2017)850 Мб/с150 Мб/с45,000 IOPS32,000 IOPS
256 Гб UFS (июль 2016)530 Мб/с170 Мб/с40,000 IOPS35,000 IOPS
256 Гб eUFS 2.0 (февраль 2016)850 Мб/с260 Мб/с45,000 IOPS40,000 IOPS
128 Гб eUFS 2.0 (январь 2015)350 Мб/с150 Мб/с19,000 IOPS14,000 IOPS
eMMC 5.1250 Мб/с125 Мб/с11,000 IOPS13,000 IOPS
eMMC 5.0250 Мб/с90 Мб/с7,000 IOPS13,000 IOPS
eMMC 4.5 (сентябрь 2012)140 Мб/с50 Мб/с7,000 IOPS2,000 IOPS

Таким образом, за год скорость последовательной записи выросла почти в 3 раза, а случайного чтения — в 1.6 раз. Скорости последовательного чтения и случайной записи практически не изменились.

Прогресс за последние пять лет (eUFS 3.1 vs eUFS 2.0) выглядит весьма внушительно:

  • объем вырос в 4 раза
  • скорость последовательного чтения — в 6 раз
  • скорость последовательной записи — в 8 раз
  • скорости случайного чтения и случайной записи — в 5 раз.

Память стандарта eUFS 3.1 также будет выпускаться в версиях 256 Гб и 128 Гб.

Samsung

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *