Samsung начала массовое производство 10-нанометровой DDR4

DDR4 10нм

Сегодня компания Samsung объявила о начале массового производства первых в мире 10-нанометровых 8-гигабитных (т.е. емкостью 1 Гб)  чипов оперативной памяти стандарта DDR4. Переход на столь значительное, по сравнению с 20-нанаметровой, уплотнение литографии стало возможным благодаря переходу от фотолитографии в глубоком ультрафиолете к использованию лазера на основе фторида аргона (ArF), т.н. «четырехкратного формирования рисунка», а также сверхтонких (толщиной всего в несколько ангстремов) слоев диэлектрика.

Понятия 10нм и 20нм достаточно условны — в действительности 10-нанометровых техпроцесс подразумевает 10-19 нанометров, а 20-нанометровый — 20-29 нанометров.

Это следующий, после массового выпуска 20-нанометровых 4-гигабитных чипов DDR3 в 2014 году, значительный шаг в развитии технологии производства оперативной памяти. Сообщается, что по сравнению с 10-нанометровыми 8-гигабитными DDR4, новые модули на треть быстрее (3,200 Мбит/с vs 2,400 Мбит/с) и при этом на 10-20% потребляют меньше энергии.

Модули памяти предназначены для ноутбуков, ПК и серверов, и будут выпускаться модулями емкостью от 4 Гб до 128 Гб. До конца года Samsung рассчитывает представить мобильную версию 10-нанометровой оперативной памяти для смартфонов и планшетов.

Samsung

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *