10нм от Intel vs 7нм от Samsung, TSMC и GlobalFoundries: сравнение техпроцесса

В рамках завершившегося сегодня симпозиума VLSI Symposia, посвященного СБИС (сверхбольшим интегральным схемам), компания Samsung поделилась кое-какими подробностями о своем 7-нм техпроцессе. От TSMC и Intel его отличает применение фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV), разработкой которой полупроводниковые компании занимаются уже три десятка лет. Её отличительной особенностью является использование лазерного луча с очень короткой длиной волны, 13.5 нм. Для сравнения длина волны в нынешнем фторид-аргоновом лазере составляет 193 нм. Увеличение разрешения в нем достигается при помощи иммерсионной литографии, но она уже практически достигла своего предела. В последний раз  Samsung задействует эту технологию в 8-нм техпроцессе, на смену которому в 2019 году придет 7-нм EUV. GlobalFoundries также приписывают использование EUV в 7-нм техпроцессе.

Но главный интерес вызывают конечно же конкретные характеристики нового техпроцесса. В таблице снизу они даются вместе с данными по конкурентам (изменения приведены по сравнению с предшествующим техпроцесом):

Читать далее

Samsung перенесла выпуск 7-нанометровых процессоров на начало 2018

glofo

По словам управляющего директора полупроводником подразделением Samsung, компания приступит к производству 7-нанометровых процессоров в начале следующего, 2018 года. Для этого будет использована фотолитография в глубоком ультрафиолете (EUV). Предыдущий прогноз Samsung был менее оптимистичным — конец 2018 года. Таким образом, она планирует идти на равных с TSMC.

Читать далее

TSMC воспользуется фотолитографией в глубоком ультрафиолете для производства 5-нм процессоров

Тайваньский производитель процессоров, компания TSMC, объявила, что для производства 5-нанометровых процессоров рассчитывает использовать т.н. фотолитографию в глубоком ультрафиолете, она же экстремальная ультрафиолетовая литография (EUV). В основе этой технологии лежит свет экстремального ультрафиолетового диапазона с длиной волны около 13.5 нм. В ноябре 2014 года сообщалось, что TSMC заказала у производителя EUV-оборудования, компании ASML, два литографических сканера. Ожидалось, что вместе с уже имеющимися у нее двумя сканерами TSMC сможет приступить к коммерческому выпуску 10-нанометровых чипов. Но похоже, что новейшая технология не освоена даже на 7-нанометровых — на последних EUV-литография будет только проходить испытания.

Промышленный выпуск 10-нанометровых процессоров TSMC планируется в 2016 году, а 7-нанометровых процессоров — во 2-ой половине 2018 года. В свою очередь на пробное производство 5-нанометровых чипов TSMC можно рассчитывать в 2018-2019 году. Напомним, что ведущий мировой производитель процессоров, компания Intel, отстает от этой динамики — недавно стало известно, что вместо 10-нанометровых процессоров Cannonlake в 2016 году будут выпускаться 14-нанометровые Kaby Lake.

KitGuru