GlobalFoundries приостанавливает разработку 7-нм техпроцесса, AMD переключается на TSMC

GlobalFoundries

Компания GlobalFoundries, один из ведущих производителей полупроводниковых интегральных микросхем, объявила, что на неопределенное время приостанавливает работу над 7-нанометровым техпроцессом. Вместо этого она планирует сосредоточить усилия, в частности, на ASIC (интегральных схемах для решения специальных задач). Очевидно, по производственным или коммерческим причинам GF не выдержала гонку уменьшения техпроцесса, в которой отныне остаются только три участника: TSMC, Intel и Samsung:

Читать далее

10нм от Intel vs 7нм от Samsung, TSMC и GlobalFoundries: сравнение техпроцесса

В рамках завершившегося сегодня симпозиума VLSI Symposia, посвященного СБИС (сверхбольшим интегральным схемам), компания Samsung поделилась кое-какими подробностями о своем 7-нм техпроцессе. От TSMC и Intel его отличает применение фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV), разработкой которой полупроводниковые компании занимаются уже три десятка лет. Её отличительной особенностью является использование лазерного луча с очень короткой длиной волны, 13.5 нм. Для сравнения длина волны в нынешнем фторид-аргоновом лазере составляет 193 нм. Увеличение разрешения в нем достигается при помощи иммерсионной литографии, но она уже практически достигла своего предела. В последний раз  Samsung задействует эту технологию в 8-нм техпроцессе, на смену которому в 2019 году придет 7-нм EUV. GlobalFoundries также приписывают использование EUV в 7-нм техпроцессе.

Но главный интерес вызывают конечно же конкретные характеристики нового техпроцесса. В таблице снизу они даются вместе с данными по конкурентам (изменения приведены по сравнению с предшествующим техпроцесом):

Читать далее

IBM представила 5-нанометровый чип с нанотабличной структурой

Почти два года назад IBM анонсировала первый в мире 7-нанометровый процессор. Он имел 20 млрд. транзисторов и был создан с использованием фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV) на базе ставшей уже традиционной архитектуры FinFET. Сегодня компания выпустила пресс-релиз, посвященный 5-нанометровому чипу, разработанному совместно с Globalfoundries и Samsung. Будучи размером с ноготь (100-150 мм2), он вмещает уже 30 млрд. транзисторов. Для сравнения ГПУ самого производительного в мире графического ускорителя Tesla V100, созданного по 12-нм (а скорее просто улучшенному 16-нм) техпроцессу TSMC, содержит 21 млрд. транзисторов при площади 815 мм2.

Читать далее

Дорожная карта полупроводниковых компаний на ближайшие годы

Наши коллеги из AnandTech собрали и опубликовали всю известную на сегодня информацию о планах полупроводниковых компаний на ближайшие несколько лет:

Читать далее

GlobalFoundries перейдет на 7нм техпроцесс минуя 10нм

glofo

Один из ведущих мировых (наравне с Intel и TSMC) производителей процессоров, компания GlobalFoundries, объявила, что следующим после нынешнего 14нм техпроцесса освоит 7нм. Таким образом, выпуск 10нм чипов она пропустит. По оценкам компании, в результате прямого перехода с 14нм на 7нм плотность логических элементов вырастет в два раза, а производительность — на 30%. В чипах с 7-нанометровой литографией по-прежнему будет использоваться архитектура FinFET (в основе которой лежит трехмерная структура). Причем на ключевых этапах печать чипов будет производиться при помощи фотолитографии в глубоком ультрафиолете. Это инновационная технология, которая задействует свет с длиной волны в 13.5 нанометров (что позволяет уменьшить техпроцесс до 6.75 нм) и пока никем из производителей в массовом производстве не применяется.

Читать далее

Слухи: Samsung и GlobalFoundries станут единственными производителями чипов AMD

Как сообщает, ссылаясь на свои источники в отрасли, корейский ресурс ET News, контракты на производство чипов для будущих видеокарт AMD получили Samsung и GlobalFoundries. Обе компании используют 14-нанометровый техпроцесс 2-го поколения FinFET — LPP (Low Power Plus). По слухам, в AMD его получат ГПУ т.н. «арктической» серии, первое из которых будет называться Greenland (Гренландия). Еще одной особенностью будущих видеокарт станет использование видеопамяти стандарта HBM 2.0, который от GDDR5 отличает огромная пропускная способность — 1 Тб/с. Ожидается, что к массовому выпуску видеокарт на базе ГПУ Greenland компания AMD приступит летом 2016 — по всей вероятности, почти одновременно с Nvidia, следующие видеокарты которой также получат 14- или 16-нанометровую топологию и видеопамять HBM 2.0. Согласно тому же источнику, помимо видеокарт Samsung и GlobalFoundries будут также производить 14-нанометровые чипы для процессоров AMD с архитектурой Zen, появление которых также ожидается в 2016 году.

Читать далее

GlobalFoundries и AMD переходят на 14-нанометровый техпроцесс

Компании GlobalFoundries и AMD объявили об успешном освоении 14-нанометрового техпроцесса для выпуска чипов с вертикальной FinFET-структурой. После завершения тестового периода, в 2016 году компании рассчитывают перейти на массовое производство. Таким образом, GlobalFoundries стал четвертым, после Samsung, TSMC и Intel, контрактным производителем полупроводниковых интегральных микросхем c 14- или 16-нанометровой топологией. Это касается не только процессоров, но и видеокарт. Как мы уже рассказывали, в следующем году оба их ведущих производителя, Nvidia и AMD, планируют отказаться от 28-нанометрового техпроцесса в пользу TSMC 16нм или GlobalFoundries 14нм.

Читать далее

В 2015 году стартует массовый выпуск 14 нм и 16 нм мобильных чипсетов

Как сообщает, ссылаясь на свои источники, ресурс DigiTimes, корейская Samsung и американская GlobalFoundries в 2015 году начнут массовый выпуск процессоров с топологией 14 нм (FinFET и LPE). Ожидается, что экспериментальный выпуск полупроводниковых пластин 14 нм LPE стартует уже в конце текущего года, его объем составит 60 тысяч в месяц. Основными заказчиками выступают компании Qualcomm и Apple — создатели чипсетов Snapdragon и Apple Ax.

Что касается тайваньской TSMC, то она, как сообщают источники, также прилагает все усилия, чтобы выпускать процессор Apple A9, которым, по всей видимости, будут оснащены iPhone и iPad 2015 года. В случае с Apple A9 речь идет о техпроцессе 16 нм FinFET и 16 нм FinFET Turbo. Другим вероятным кандидатом на выпуск Apple A9 является, как ни странно, Intel. Что касается процессора Apple A8, ожидаемого в грядущих этой осенью iPhone 6, iPad Air 2 и iPad mini 3, то по некоторым данным он будет выпускаться компанией TSMC с использованием 20 нм техпроцесса.

Аналогичные слухи поступают и в отношении LG, которая, по данным корейского ресурса Etnews, также работает над созданием 16 нм процессора, производство которого планирует заказать у все той же тайваньской TSMC. Нынешнее поколение топовых мобильных чипсетов, напомним, имеет 28 нм топологию.