Intel сравнила свой будущий техпроцесс с TSMC
На состоявшейся на днях 23-й ежегодной технологической конференции (организованной Credit Suisse) глава Intel Боб Суон сравнил будущий техпроцесс компании с TSMC. Если дополнить его слова данными о нынешнем и прошлых техпроцессах ведущих полупроводниковых компаний мира, а также раскрытой на IEDM 2019 дорожной картой Intel (это сделал партнер компании, ASML), то таблица техпроцессов выглядит так (в скобках указаны год релиза и коэффициент увеличения плотности транзисторов по сравнению с предыдущим поколением):
| Intel | TSMC |
| 22 нм (2011, 2.4x) | 16 нм (2015) |
| 14 нм (2014, 2.7x) | 10 нм (2017) |
| 10 нм (2019, 2.0x) | 7 нм (2018) |
| 7 нм (2021) | 5 нм (2020, 1.84x) |
| 5 нм (2023) | 3 нм (2022) |
| 3 нм (2025) | |
| 2 нм (2027) | |
| 1.4 нм (2029) |
Как уже рассказывал Gadgets News, название техпроцесса является условным. Самым миниатюрным элементом транзистора является толщина ребра (Fin width), но действие закона Мура традиционно привязывают к толщине затвора (Gate length). В техпроцессах Intel эти показатели менялись следующим образом:
| 22-нм | 14-нм | 10-нм | |
| Fin width | 18 нм | 8 нм | 7 нм |
| Gate length | 30 нм | 20 нм | 18 nm |
Дальнейшая миниатюризация транзисторов (и соответствующее увеличение плотности размещения на кристалле процессора) достигается за счет уменьшения размера их прочих, более крупных элементов.
В нашей первой таблице можно видеть, что в 2017 TSMC догнала Intel, а год спустя вырвалась вперед. Причем нельзя сказать, что позиции компаний сравнялись в 2019 — вышедший этом году 10-нм Ice Lake пока предназначен лишь для ноутбуков. Между тем в 3-ем поколении семейств Ryzen и Threadripper, а также во 2-м поколении EPYC используется как раз 7-нм техпроцесс от TSMC — что обеспечило главному конкуренту Intel, AMD, дополнительное преимущество на рынке десктопных и серверных процессоров.
