Как совершенствовалась оперативная память Samsumg последние десять лет
Сегодня Samsung анонсировала начало массового производство 12 Гб LPDDR4X и показала как менялись характеристики выпускаемой ею оперативной памяти последние десять лет, с 2009 года:
| Дата | Емкость | Характеристики |
| февраль 2019 | 12 Гб | 10-нм (1y) 16 Гбит LPDDR4X, 4266 Мбит/с |
| июль 2018 | 8 Гб | 10-нм (1y) 16 Гбит LPDDR4X, 4266 Мбит/с |
| апрель 2018 | 8 Гб (в разработке) | 10-нм (1x) 8 Гбит LPDDR5, 6400 Мбит/с |
| сентябрь 2016 | 8 Гб | 10-нм (1x) 16 Гбит LPDDR4X, 4266 Мбит/с |
| август 2015 | 6 Гб | 20-нм (2z) 12 Гбит LPDDR4, 4266 Мбит/с |
| декабрь 2014 | 4 Гб | 20-нм (2z) 8 Гбит LPDDR4, 3200 Мбит/с |
| сентябрь 2014 | 3 Гб | 20-нм (2z) 6 Гбит LPDDR3, 2133 Мбит/с |
| ноябрь 2013 | 3 Гб | 20-нм (2y) 6 Гбит LPDDR3, 2133 Мбит/с |
| июль 2013 | 3 Гб | 20-нм (2y) 4 Гбит LPDDR3, 2133 Мбит/с |
| апрель 2013 | 2 Гб | 20-нм (2y) 4 Гбит LPDDR3, 2133 Мбит/с |
| август 2012 | 2 Гб | 30-нм 4 Гбит LPDDR3, 1600 Мбит/с |
| 2011 | 1/2 Гб | 30-нм 4 Гбит LPDDR2, 1066 Мбит/с |
| 2010 | 512 Мб | 40-нм 2 Гбит MDDR, 400 Мбит/с |
| 2009 | 256 Мб | 50-нм 1 Гбит MDDR, 400 Мбит/с |
Как видим, с 2009 года техпроцесс производства оперативной памяти Samsung уменьшился с 50-нм до 10-нм, емкость увеличилась с 256 Мб до 12 Гб (в 48 раз), скорость — с 400 Мбит/с до 4266 Мбит/с (в 10 раз). Как уже рассказывал Gadgets News, значительный прогресс наблюдается также в характеристиках флеш-памяти Samsung, однако все это не идет ни в какой сравнение с мобильными процессорами, чья графическая производительность за это время выросла в тысячу раз и сравнялась с настольной игровой приставкой Xbox One S (2016).