Galaxy S7 может получить процессор с 10-нанометровой топологией

SD

До анонса очередного флагманского смартфона Samsung, Galaxy S6, остаются считанные дни, но пожалуй уже сейчас можно предположить, на каком техпроцессе будет чипсет у его преемника через год. На проходящей в эти дни конференции ISSCC глава полупроводникового подразделения компании, Ким Ки-нам (Kim Ki-nam), анонсировал переход Samsung на 10-нанометровую литографию. Самые производительные на сегодня чипсеты для смартфонов, Snapdragon 810 компании Qualcomm и A8 компании Apple, «напечатаны» на базе 20-нанометрового технроцесса, а Exynos 7420 (предполагаемый процессор Galaxy S6) — на базе 14-нанометрового.

Напомним, что по причине применения на полупроводниковых заводах Samsung технологии HKMG (в отличие от более энергоэффективной HPM, применяемой на заводах TSMC, которая производит процессоры для Qualcomm и Apple), 20-нанометровые процессоры Samsung с точки зрения энергопотребления соответствуют 28-нанометровым Qualcomm. В случае использования Samsung той же технологии в 14- и 10-нанометровом техпроцессе, он, вероятно, в этом отношении будет соответствовать 20- и 14-нанометровому техпроцессу TSMC. Но в любом случае, 10-нанометровая топология позволит Samsung нарастить производительность будущего процессора за счет размещения на кристалле интегральной схемы большего количества транзисторов.

G4Games

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *