Micron представила 176-слойную 3D NAND

Американская полупроводниковая компания Micron анонсировала сегодня 5-е поколение флеш-памяти 3D NAND (TLC) — с рекордными 176 слоями. Для сравнения, два предыдущих поколения имели 128 и 96 слоев. При этом толщина 176-слойного кристалла почти такая же, как у 96-слойного — около 45µ (µ = 0.001 мм), что в пять раз тоньше листа бумаги. Компания заявляет, что 512-битные (64 Гб) модули новой памяти на 30% меньше, чем лучшие аналоги от конкурентов.

Улучшились и скоростные характеристики трехмерной флеш-памяти: время задержки при записи и чтении сократилось на 25% по сравнению со 128-слойной 3D NAND и на 35% — по сравнению с 96-слойной. Подробности технологии сообщаются в т.н. Белой книге.

Серийное производство 176-слойной 3D NAND уже стартовало.

Micron