Как совершенствовалась оперативная память Samsumg последние десять лет

Сегодня Samsung анонсировала начало массового производство 12 Гб LPDDR4X и показала как менялись характеристики выпускаемой ею оперативной памяти последние десять лет, с 2009 года:

ДатаЕмкостьХарактеристики
февраль 201912 Гб10-нм (1y) 16 Гбит LPDDR4X, 4266 Мбит/с
июль 20188 Гб10-нм (1y) 16 Гбит LPDDR4X, 4266 Мбит/с
апрель 20188 Гб (в разработке)10-нм (1x) 8 Гбит LPDDR5, 6400 Мбит/с
сентябрь 20168 Гб10-нм (1x) 16 Гбит LPDDR4X, 4266 Мбит/с
август 20156 Гб20-нм (2z) 12 Гбит LPDDR4, 4266 Мбит/с
декабрь 20144 Гб20-нм (2z) 8 Гбит LPDDR4, 3200 Мбит/с
сентябрь 20143 Гб20-нм (2z) 6 Гбит LPDDR3, 2133 Мбит/с
ноябрь 20133 Гб20-нм (2y) 6 Гбит LPDDR3, 2133 Мбит/с
июль 20133 Гб20-нм (2y) 4 Гбит LPDDR3, 2133 Мбит/с
апрель 20132 Гб20-нм (2y) 4 Гбит LPDDR3, 2133 Мбит/с
август 20122 Гб30-нм 4 Гбит LPDDR3, 1600 Мбит/с
20111/2 Гб30-нм 4 Гбит LPDDR2, 1066 Мбит/с
2010512 Мб40-нм 2 Гбит MDDR, 400 Мбит/с
2009256 Мб50-нм 1 Гбит MDDR, 400 Мбит/с

Как видим, с 2009 года техпроцесс производства оперативной памяти Samsung уменьшился с 50-нм до 10-нм, емкость увеличилась с 256 Мб до 12 Гб (в 48 раз), скорость — с 400 Мбит/с до 4266 Мбит/с (в 10 раз). Как уже рассказывал Gadgets News, значительный прогресс наблюдается также в характеристиках флеш-памяти Samsung, однако все это не идет ни в какой сравнение с мобильными процессорами, чья графическая производительность за это время выросла в тысячу раз и сравнялась с настольной игровой приставкой Xbox One S (2016).

Samsung

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *