Micron представила 176-слойную 3D NAND
Американская полупроводниковая компания Micron анонсировала сегодня 5-е поколение флеш-памяти 3D NAND (TLC) — с рекордными 176 слоями. Для сравнения, два
Читать далее
Рубрика: Полупроводниковые технологии
Samsung начала массовый выпуск eUFS 3.1 512 Гб
Сегодня Samsung объявила о начале массового производства памяти стандарта eUFS 3.1 объемом 512 Гб. Вот как изменились характеристики выпускаемой компанией
Читать далее
Продолжает ли действовать закон Мура: проверяем на цифрах
В последнее время немало говорят о том, что закон Мура (согласно которому количество транзисторов на кристалле интегральной схемы удваивается каждые
Читать далее
Samsung рассказала о транзисторной технологии MBCFET, которая заменит FinFET в 3-нм процессорах
На днях в рамках Foundry Forum компания Samsung анонсировала новую транзисторную технологию, призванную придти на смену FinFET в её будущих
Читать далее
Samsung завершила разработку 5-нм техпроцесса
Сегодня Samsung объявила о завершении разработки 5-нм техпроцесса FinFET и готовности предоставить образцы заказчикам . Как и в случае с
Читать далее
Новости недели: Samsung освоила экстремальный ультрафиолет, а Intel реорганизует производство
На этой неделе было немало новостей, касающихся полупроводниковой промышленности. Начнем с того, что ARM представила предназначенную для дата-центров платформу Neoverse и
Читать далее