IBM представила 5-нанометровый чип с нанотабличной структурой

Почти два года назад IBM анонсировала первый в мире 7-нанометровый процессор. Он имел 20 млрд. транзисторов и был создан с использованием фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV) на базе ставшей уже традиционной архитектуры FinFET. Сегодня компания выпустила пресс-релиз, посвященный 5-нанометровому чипу, разработанному совместно с Globalfoundries и Samsung. Будучи размером с ноготь (100-150 мм2), он вмещает уже 30 млрд. транзисторов. Для сравнения ГПУ самого производительного в мире графического ускорителя Tesla V100, созданного по 12-нм (а скорее просто улучшенному 16-нм) техпроцессу TSMC, содержит 21 млрд. транзисторов при площади 815 мм2.

Как и его 7-нанометровый предшественник, новый процессор создан при помощи фотолитографии в глубоком ультрафиолете, но на этот раз в нем представлена новая архитектура, над которой IBM работала свыше десяти лет — так называемые нанотаблицы. Ниже представлены три вида структур (слева направо — FinFET, нанопровода и нанотаблицы), а также фото нанотаблиц:

5-нанометровые процессоры могут быть созданы и на базе FinFET-архитектуры, но новая схема за счет изменения ширины нанотаблицы позволит в будущем улучшать производительность и энергопотребление процессоров в рамках прежнего техпроцесса. Что касается характеристик нынешней реализации 5-нанометровой литографии, то согласно IBM она, по сравнению с 10-нанометровым техпроцессом, позволяет на 40% увеличить производительность (при том же энергопотреблении) или на целых 75% уменьшить энергопотребление (при той же производительности).

Сроки производства 5-нанометровых процессоров в промышленных масштабах в пресс-релизе IBM не раскрываются. Зато в очередной раз подтверждены намерения Globalfoundries приступить к коммерческому выпуску 7-нанометровых процессоров уже в следующем году (на заводе Fab 8 в Нью-Йорке). В том же 2018 выпуск 7-нанометровых процессоров наладит TSMC, а годом позже это сделает Samsung (эти три компании выпускают, в частности, ГПУ для видеокарт Nvidia и AMD). Что касается Intel, то до 2020 года она, в соответствии со своей новой стратегией «тик-так-так», будет выпускать процессоры на базе третьего поколения 10-нанометрового техпроцесса (см. дорожную карту всех четырех компаний). Впрочем Intel заявляет, что её 14-нм техпроцесс фактически соответствует 10-нм техпроцессу конкурентов, поэтому в действительности отставания скорее всего нет. Чтобы сравнить одноименнные техпроцессы разных компаний, надо по меньшей мере знать толщину затвора (Gate length), которая в 14-нанометровых процессорах Intel составляет 20 нм.

IBM с использованием данных Semiconductor Engineering

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *